1、招标条件
项目概况:上海新微半导体 拟采购电感耦合等离子体刻蚀设备、反应离子刻蚀设备
资金到位或资金来源落实情况:资金已到位
项目已具备招标条件的说明:具备招标条件
2、招标内容
招标项目编号:0613-204022195659
招标项目名称:电感耦合等离子体刻蚀设备、反应离子刻蚀设备
项目实施地点:中国上海市
招标产品列表(主要设备):
| 序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
| 1 | 电感耦合等离子体刻蚀设备 GaAs LD | 1 | 主要用于干法刻蚀砷化镓台面刻蚀 *1控制系统：计算机控制系统具备自动操作和手动操作功能，配有不同用户权限级别的设备控制软件，配备SECS/GEM 通讯接口 *2工艺腔体具备加热功能：≥110oC，加热区域包括腔体壁、真空管道、阀等； *3样品台具备样品氦气背冷功能，配备独立冷水机，温控范围-30℃至+80℃，温控精度±1℃； *4真空系统刻蚀腔体高真空闸阀：快速开关闸阀，开断时间？1秒，采用VAT的产品；刻蚀腔体极限真空度：？1×10-6Torr, 真空漏率 0.5mTorr/min，刻蚀腔体气压控制模式：upstream和downstream两种模式； *5配置OES终点检测功能； *6采用螺旋管式的ICP 源设计 | |
| 2 | 电感耦合等离子体刻蚀设备 GaSb DFB | 1 | 主要用于干法刻蚀砷化锑台面刻蚀 *1控制系统：计算机控制系统具备自动操作和手动操作功能，配有不同用户权限级别的设备控制软件，配备SECS/GEM 通讯接口 *2工艺腔体具备加热功能：≥110oC，加热区域包括腔体壁、真空管道、阀等； *3样品台具备样品氦气背冷功能，配备独立冷水机，温控范围-30℃至+80℃，温控精度±1℃； *4真空系统刻蚀腔体高真空闸阀：快速开关闸阀，开断时间？1秒，采用VAT的产品；刻蚀腔体极限真空度：？1×10-6Torr, 真空漏率 0.5mTorr/min，刻蚀腔体气压控制模式：upstream和downstream两种模式； *5配置OES终点检测功能； *6采用螺旋管式的ICP 源设计 | |
| 3 | 电感耦合等离子体刻蚀设备 InP Grating | 1 | 主要用于低温低速干法刻蚀磷化铟光栅和台面 *1控制系统：计算机控制系统具备自动操作和手动操作功能，配有不同用户权限级别的设备控制软件，配备SECS/GEM 通讯接口 *2工艺腔体具备加热功能：≥110oC，加热区域包括腔体壁、真空管道、阀等； *3样品台固定观察窗需配有相应的防护装置 *2样品台样品夹具：配备两个定制三明治铝托盘用于装载4寸砷化镓衬底和3寸磷化铟衬底； |
3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1）投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；2）投标人或投标货物的制造商须具备此类设备的供货和安装调试经验；3) 法律、行政法规咨询电话18811547188规定的其他条件。4）投标人三年内在从事光电产品生产的中国化合物量产工厂中同类设备销售台数大于等于35台（须提供业绩清单及合同复印件或用户的书面证明）。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间:2020-12-29
招标文件领购结束时间:2021-01-06
是否在线售卖标书:否
7、联系方式
招标人:上海新微半导体
未曾在中国电力招标采购网（www.dlztb.com）上注册会员的单位应先注册。登录成功后根据招标公告的相说明下载投标文件！
项目 联系人：李杨
咨询电话：010-51957458
传真：010-51957412
手机：13683233285
QQ:1211306049
微信：Li13683233285 邮箱：1211306049@qq.com
备注：欲购买招标文件的潜在投标人,注册网站并缴纳因特网技术服务费后，查看项目业主，招标公告，中标公示等，并下载资格预审范围，资质要求，招标清单，报名申请表等。为保证您能够顺利投标，具体要求及购买标书操作流程按公告详细内容为准，以招标业主的解答为准本。
编辑：chinabidding.co