招标公告
1. 招标条件
本招标项目等离子增强气相沉积系统、硅基等离子体刻蚀机、InP基等离子体刻蚀机、GaAs基等离子体刻蚀机 该项目已具备招标条件，现对等离子增强气相沉积系统、硅基等离子体刻蚀机、InP基等离子体刻蚀机、GaAs基等离子体刻蚀机进行国内公开招标。2. 项目概况与招标范围
2.1 招标编号：ZKX20250631A002 2.2招标项目名称：等离子增强气相沉积系统、硅基等离子体刻蚀机、InP基等离子体刻蚀机、GaAs基等离子体刻蚀机 2.3 数量： 等离子增强气相沉积系统 1台 硅基等离子体刻蚀机 1台 InP基等离子体刻蚀机 1台 GaAs基等离子体刻蚀机 1台 2.4 设备用途： 1）等离子增强气相沉积系统：等离子增强气相沉积系统主要借助微波或射频源使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，利用等离子体的强化学活性发生反应，从而在基片上沉积出预期的薄膜，具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好等优点。本仪器可沉积氧化硅、氮化硅等材料，能够实现对沉积厚度的精确控制，还可以通过改变反应气体组分在一定范围内调节沉积薄膜的折射率，可应用于微纳结构中的抗腐蚀层、微纳电子器件中的绝缘层、波导结构等。 2）硅基等离子体刻蚀机：等离子体刻蚀机用于对半导体晶圆进行干法刻蚀微纳加工，从而制作出设计好的波导结构图案。其刻蚀过程是化学反应和物理轰击过程所共同作用的结果，其内部包括两套射频电源，其中一套与腔室外缠绕的螺线圈相连，使线圈产生感应耦合电场，腔室内的刻蚀气体在此电场作用下辉光放电产生高密度等离子体；另一套与腔室内放置石英平台和样品的下方电极相连，用于产生偏置电压，对等离子体进行加速使其定向作用于样片表面，并将发生化学反应产生挥发性的气体，经过排气口排出，完成样片刻蚀。等离子体刻蚀机对晶圆芯片结构加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的优点。硅基等离子体刻蚀机将用于硅光芯片研制过程中刻蚀光波导和光栅等结构。 3）InP基等离子体刻蚀机：等离子体刻蚀机用于对半导体晶圆进行干法刻蚀微纳加工，从而制作出设计好的波导结构图案。其刻蚀过程是化学反应和物理轰击过程所共同作用的结果，其内部包括两套射频电源，其中一套与腔室外缠绕的螺线圈相连，使线圈产生感应耦合电场，腔室内的刻蚀气体在此电场作用下辉光放电产生高密度等离子体；另一套与腔室内放置石英平台和样品的下方电极相连，用于产生偏置电压，对等离子体进行加速使其定向作用于样片表面，并将发生化学反应产生挥发性的气体，经过排气口排出，完成样片刻蚀。等离子体刻蚀机对晶圆芯片结构加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的优点。InP基等离子体刻蚀机将用于InP基半导体激光器芯片研制过程中刻蚀光波导和光栅等结构。 4）GaAs基等离子体刻蚀机：等离子体刻蚀机用于对半导体晶圆进行干法刻蚀微纳加工，从而制作出设计好的波导结构图案。其刻蚀过程是化学反应和物理轰击过程所共同作用的结果，其内部包括两套射频电源，其中一套与腔室外缠绕的螺线圈相连，使线圈产生感应耦合电场，腔室内的刻蚀气体在此电场作用下辉光放电产生高密度等离子体；另一套与腔室内放置石英平台和样品的下方电极相连，用于产生偏置电压，对等离子体进行加速使其定向作用于样片表面，并将发生化学反应产生挥发性的气体，经过排气口排出，完成样片刻蚀。等离子体刻蚀机对晶圆芯片结构加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的优点。GaAs基等离子体刻蚀机将用于GaAs基半导体激光器芯片研制过程中刻蚀光波导和光栅等结构。 2.5 交货 2.6 交货期：合同签订后10个月内。3.投标人资格要求
3.1 投标人须具有独立承担民事责任能力的在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织，具备有效的营业执照或事业单位法人证书或其它营业登记证书。 3.2 本次招标不接受联合体投标。 3.3 本次招标不接受代理商投标。 3.4 投标人2022年1月1日至开标前一日（以合同签订时间为准）具有等离子增强气相沉积系统、等离子体刻蚀机的同类型产品业绩： （1）上述2种产品均须提供同类型产品业绩； （2）每种产品须提供至少15份业绩合同（同一业绩中可同时包含上述两种产品），业绩均须附供货合同必要部分（须包含合同首页及盖章页或者签署页，合同中须有标的物名称，且有明确的签订时间）。 3.5 信誉要求：未被列入“信用中国” 网站“记录严重失信主体名单，须提供上述网站截图证明或提供承诺书。 3.6投标人必须向招标代理机构4.
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来源：中国电力招标采购网
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编辑：365trade